半导体层表面处理方法及半导体装置制造方法

2009/2/6/10:26 来源：中华人民共和国国家知识产权局

申请号：200810108776.X

名称：半导体层的表面处理方法及半导体装置的制造方法

公开(公告)号：CN101339900

公开(公告)日：2009.01.07

主分类号：H01L21/306(2006.01)I

申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司

地址：中国台湾新竹科学工业园区

发明(设计)人：唐唯耀;吴家伟

专利代理机构：北京市柳沈律师事务所

代理人：陶凤波

摘要

一种半导体层的表面处理方法及半导体装置的制造方法。此表面处理方法首先提供半导体层，此半导体层的表面具有多个微粒。接着，利用清洁方法移除这些微粒。于此清洗方法中，依序使半导体层接触有机物移除剂、第一过氧化物混合液以及第二过氧化物混合液。