晶片键合的硼化物表面处理剂及键合方法

    申请号：200710091028.0

    名称：晶片键合的硼化物表面处理剂及键合方法

    公开(公告)号：CN101281856

    公开(公告)日：2008.10.08

    主分类号：H01L21/00(2006.01)I

    申请(专利权)人：北京邮电大学

    地址：100876 北京市海淀区西土城路10号

    发明(设计)人：任晓敏;黄辉;王文娟;宋海兰;王琦;黄永清

    专利代理机构：北京金之桥知识产权代理有限公司

    代理人：朱黎光

    摘要

    本发明揭示了一种晶片键合的硼化物表面处理剂以及键合方法，本发明所提供的表面处理剂是硼化物溶液，所述硼化物溶液含有硼酸根、硼氢根或硼酸根和硼氢根的混合物。溶剂选自硫化碳、四氯化碳、甲醇、乙醇、氨水和水；溶液浓度为0.001％～20％。本发明所提供的晶片键合方法，先将待键合的晶片进行清洗，然后将晶片置于置于本发明所提供的步骤a中制备的表面处理剂中在0℃～100℃的水浴中放置1分钟～1小时将两块晶片面对面贴紧取出夹紧；将夹好的晶片和夹具一起放入退火炉中进行热处理，处理温度为100～300℃，处理时间为0.5～2小时，实现在较低的热处理温度下，半导体晶片间高质量键合，并且工艺过程环保无毒。

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