用于TFT铜栅工艺的无电镀NiWP粘附层

    名称：用于TFT铜栅工艺的无电镀NiWP粘附层和覆盖层

    公开(公告)号：CN101278074

    公开(公告)日：2008.10.01

    主分类号：C23C18/50(2006.01)I

    申请(专利权)人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司;财团法人工业技术研究院

    地址：法国巴黎

    专利代理机构：北京市中咨律师事务所

    代理人：隗永良;林柏楠

    摘要

    本发明涉及用于TFT铜栅工艺的无电镀NiWP层。该NiWP层的沉积过程包括以下步骤：(a)使用例如紫外光、臭氧溶液和/或碱性混合物溶液清洗基底表面，(b)使用例如稀酸微刻蚀基底表面，(c)使用例如SnCl2和PdCl2溶液催化基底表面，(d)使用还原剂溶液调理基底表面，和(e)沉积NiWP。已发现在一定条件下沉积的NiWP层能够提供对玻璃基底和对Cu层的良好粘附性并具有良好的铜阻挡性能。NiWP层可用于TFT铜栅工艺(例如平板显示器面板的)的粘附、覆盖和/或阻挡层。

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