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    全方位离子注入技术（国际上称PSII或PSIII）是一种先进的材料表面改性新技术。它是将被处理工件直接浸泡在高密度真空等离子体中，在工件上施加脉冲负高压，实现全方位高能强流离子注入，载能离子轰击注入材料表面引起成份和结构变化，从而改善材料的耐磨、耐腐蚀、抗疲劳等性能。

    该设备配置了气体等离子体源、金属等离子体源，可实现气体离子注入和金属离子注入。该设备具有全方位注入的特点，处理温度较低（<300℃）。克服了常规离子注入的视线问题和保留剂量问题，并具有操作简单，易处理重、大、复杂形体的工件及无需复杂的运动靶台等特点。

    该技术适用于高精度、贵重、关键部件的表面改性，如异形工模具、精密运动部件、重大机械设备部件等。它在金属、绝缘体、生物材料，特别是半导体材料中有广泛的应用前景。该技术在国防、民用工业中已得到实际应用。

PSII在塑料基体上制备AI膜与着色

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    设备主要技术指标：

    真空室静压强：8×10-4Pa

    等离子体密度：108-1010cm-3

    脉冲负电压：10-80kV

    脉冲宽度：10-50μs

    脉冲频率：5-500Hz

    真空抽气系统采用无油分子泵系统。