第二种选择是在硅片表面生长一层TaPVD薄膜，这种方法是利用Cu在Cu上和Cu在Ta上淀积时需要不同的超电势。通过选择Cu只在Cu上淀积的电势（或者电流），通孔被填充，同时硅片表面的Cu淀积被抑制。SEM和FIB分析说明了和ODTSAM表面观测到的类似现象。同样的，在顶部表面几乎没有Cu淀积，通孔被无空洞的填充，填充的铜呈指甲状。完全的填充仅耗时30分钟。这种方法的优势在于它使用了半导体制造已经采用的工艺技术。

    结论

    通过电化学手段使用Cu填充穿越硅片的通孔是实现3D集成电路的决定性因素之一。这篇文章为直径5μm、深度25μm的通孔填充提出优化了的Cu电镀工艺。主要的改进在于降低无空洞填充工艺的时间（工艺成本）减少到30分钟。结果由两种方法得出。在第一种方法中，我们研究了平坦和促进添加剂以及电流密度在电镀工艺中的地位。对电镀工艺更深的了解帮助我们优化了通孔填充工艺的产能。通过使用两步的电流填充工艺，总共的填充时间减少到25分钟。在第二种方法中，通过防止顶部表面的Cu淀积，或者通过产生自组合单层十八烷基硫醇，又或者在硅片表面淀积Ta薄膜，均使填充时间减少了至少50%。使用这个方法，通孔可以在30分钟内进行完全的填充。

    其他涉及3D技术的工艺的研究也同时在IMEC3DSIC项目中同时展开，比如Cu-Cu连接、指甲状Cu在Si内引起的应力、硅片的减薄和后续的一些工艺步骤。