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诺发铜电镀填充系统 向32nm工艺迈进
2006年7月27日 9:21  来源:国际电子商情

    NovellusSystems(诺发系统)日前推出SABRE电镀填充系统系列产品中的最新产品SABREExtreme。新平台提供了经过改善的化学溶液、电镀工艺和新的硬件功能,以解决向32nm技术节点转变过程中出现的复杂问题。经验证,它的灵活性能适应多代产品的要求。现在,新系统正被一家美国逻辑器件制造商用于45nm工艺的开发,同时也被一家美国DRAM制造商所采用。

    据该公司称,SABRE是半导体行业能够满足生产要求的第一套铜电镀填充系统。2005年SABRE所占市场份额为80%,在前10大铜工艺IC制造商中有9家采用SABRE作为铜电镀工艺设备。目前,SABRE的全球装机量已超过250套,每年可以加工处理5,500万片次以上的晶圆。在诺发公司向后兼容策略的支持下,在向45nm和32nm转变的过程中制造商可以继续利用已有的设备。SABREExtreme可以提供80片晶圆/小时的生产速度,同时在大批量生产条件下继续保持90%以上的可正常工作时间。

    SABREExtreme采用了很多改善措施以满足45nm和32nm大批量生产的要求。据介绍,SABREExtreme采用了电镀化学溶液ViaformExtreme。ViaformExtreme是为45nm和32nm节点小寸和高纵宽比特征结构提供优异填充能力的关键。ViaformExtreme是诺发公司和ATMI/Enthone采用排它性模式合作开发的成果,通过它可以得到高度可靠的铜薄膜,只有SABRE的客户可以使用这一产品。在供应商的帮助下,一直以来客户对诺发公司在这一领域的领先地位给予了充分的肯定和正面的反馈。

    Extreme电镀槽采用了最新的隔膜技术以改善电镀性能和降低耗材成本(降幅大约为50%)。该电镀槽采用了一些经过以前几代设计开发和验证的特有功能,可以通过程序控制晶圆边缘的薄膜结构,以适应化学机械平坦化(CMP)的要求。Extreme采用了密封接触式设计,边缘去除尺寸仅为1mm,晶圆可利用面积提高了1%以上,从而可以额外增加每片晶圆的成品率。通过程序控制晶圆边缘快速去除(EBR)工艺。EBR处理速度的加快提高了生产速度。其中,特别是晶圆代工客户可以从程序控制晶圆边缘去除功能提供的灵活性中受益。

 
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