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日立投产高处理量的SIMOX热处理设备
 
慧聪网   2005年12月2日9时33分   信息来源:日经BP网    

处理量提高50%的热处理设备

处理量提高50%的SIMOX热处理设备

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  一种将处理量比过去提高50%、支持300mm晶圆的SIMOX(separation by implanted oxygen,注氧隔离)竖型批式热处理设备,日前已由日立国际电气投产。将在2005年12月7~9日于日本千叶县幕张Messe会展中心举办的“Semicon Japan 2005”上展示,并开始受理订单。该设备可用于形成SIMOX晶圆嵌入氧化层时所需的1350℃以上超高温热处理。

  过去的设备每批只能处理50枚晶圆。而此次的设备则能够处理75枚。每批的处理量之后,同批内的晶圆之间在热处理时的温度差异就会增大,容易产生名为滑移线(Slip Line)的结晶缺陷。日立国际电气则解决了这个问题。对于滑移线的产生,通过对支撑晶圆的工具形状进行改进并降低与工具接触部位所产生的热应力,而得到了控制。

  在铁和等金属污染量及批次之间氧化膜厚度的均匀性方面,也确保了和过去的超高温热处理设备同等的性能。金属污染量在5×1010/cm2以下,批次之间氧化膜厚度的均匀性实现了±0.2%以下。最高处理温度为1400℃。处理温度可以±1℃为单位进行控制。  

 
作者:田中 直树 
 
 
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[热门关键词]:热处理 晶圆 表面处理 
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