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涂覆有金属电镀层的单晶硅基片和垂直磁记录介质
 
慧聪网   2005年12月1日11时14分   信息来源:中华人民共和国知识产权局    

【名称】 涂覆有金属电镀层的单晶硅基片和垂直磁记录介质   

【公开(公告)号】 CN1681008  

【公开(公告)日】 2005.10.12  

【申请(专利)号】 CN200510062693.8 

【申请(专利权)人】 信越化学工业株式会社    

【发明(设计)人】 滨口优 津森俊宏 新谷尚史

【摘要】 本发明提供一种单晶Si基片,在其上形成和Si单晶基片具有良好粘附性的一个或多个金属膜,使得粘附性得到保证。更为具体的说,提供表面处理的基片,该基片包括具有1-100Ω·cm的体电阻系数的单晶Si基片,以及在单晶Si基片上的至少一个金属电镀层。面对单晶Si基片的该金属电镀层优选地包括从由Ag、Co、Cu、Ni、Pd、Fe和Pt组成的组中选择的至少一个金属。另外,提供了包括涂覆有金属电镀层的单晶Si基片的垂直磁记录介质。  

【主权项】 1.一种表面处理的Si基片,其包括:单晶Si基片,其具有1-100Ω·cm的体电阻系数,以及至少一个金属电镀层,将其设置在Si基片处或在Si基片之上。

 
 
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