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日推出新型可分析EL薄膜结构溅镀仪
 
慧聪网   2005年11月30日13时45分      


日本Ulvac公司现已推出可用于使用SiC晶圆的家电和汽车功率元件量产的离子注入设备“IH-860DSIC”。吞吐量为30枚/小时(支持直径为75mm~150mm的晶圆),“现已得到元件厂商的充分肯定,完全可用于量产”(Ulvac公司)。面向SiC元件量产的离子注入设备“为业界首例”(Ulvac公司),希望得到那些计划2006年以后开始SiC元件量产的功率元件厂商的采用。

可在真空腔中连续更换晶圆

面向SiC元件的离子注入设备过去一直在由各设备厂商进行开发,吞吐量较低,每天仅有几枚,不适合量产。吞吐量之所以较低,是因为无法在腔内连续更换晶圆。与硅晶圆相比,SiC晶圆容易因离子注入而产生结晶缺陷,注入离子时需要将晶圆温度维持在500℃的高温,在控制结晶缺陷产生的同时,注入离子。过去一直都是手工将晶圆固定在可调温的晶圆座上,因此更换晶圆时需要在腔内进行放气。

此次通过给设备配备可调温的静电吸盘(Electrostatic Chuck),解决了上述问题。静电吸盘就是利用静电作用力,将晶圆吸附到晶圆座上,能够在真空腔内连续更换晶圆。另外,通过采用可在2个晶圆座上配置SiC晶圆的系统结构,能够一边向一个晶圆进行离子注入,一边同时给另一个晶圆座进行升温作业。由此,将吞吐量提高到了30枚/小时这种适用于量产的水平。

实现了支持SiC的高注入能量

此次的设备除吞吐量之外,还克服了量产所需的另一个条件。作为SiC晶圆,注入离子时在使晶圆保持高温的同时,还需要加大注入能量。其原因在于,在离子注入完成后为消除结晶缺陷而进行退火处理时离子不易扩散,因此注入时需要给底板的表面至深处都注入离子。此次的设备将注入能量由过去的约400keV提高到了最大700keV,达到了量产所要求的水平。

设备价格为2亿8000万日元。上市首年度预计销售3台左右。Ulvac公司将在2005年12月7~9日于日本千叶市幕张Messe会展中心举办的“SEMICON Japan 2005”展会上,展出该产品。

 
 
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