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晶片级无电镀铜法和凸块制备方法
 
慧聪网   2005年11月3日14时6分   信息来源:中华人民共和国知识产权局    

【名称】 晶片级无电镀铜法和凸块制备方法,以及用于半导体晶片和微芯片的渡液   

【公开(公告)号】 CN1679154  

【公开(公告)日】 2005.10.05  

【申请(专利)号】 CN03816299.7

【申请(专利权)人】 新加坡国立大学 新加坡科技研究局   

【发明(设计)人】 陆海景 龚浩 志·昆·斯蒂芬·王 

【摘要】 本发明涉及一种在包括多个半导体器件的半导体晶片上生成铜凸块的方法。所述芯片或晶片具有包括多个半导体器件的层和具有开口的钝化层。在所述开口内的传导衬垫与所述半导体器件相接触。在所述方法中,将一种传导性粘着材料沉积到所述传导衬垫上来形成粘着层。将一种传导性金属沉积到所述粘着层上来形成阻挡层,并使用酸浸溶液从所述钝化层上除去可能粘着的传导性粘着材料颗粒。然后,将铜沉积到所述阻挡层上来形成所述铜凸块。所述沉积步骤的每一步均以无电镀方式进行。而且,本发明还提供了用于上述处理的镀液和由此制得的晶片和微芯片。 

 
 
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[热门关键词]:电镀 
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