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无电镀敷法和在其上形成金属镀层的半导体晶片
 
慧聪网   2005年8月26日16时48分   信息来源:中华人民共和国知识产权局    

【名称】:无电镀敷法和在其上形成金属镀层的半导体晶片   

【公开(公告)号】:1623009  

【公开(公告)日】:2005.06.01  

【申请(专利权)人】:株式会社日矿材料   

【发明(设计)人】:伊森彻;关口淳之辅;矢部淳司  

【摘要】:本发明的目的是提供在其上形成适用于晶种层的薄、光滑、均匀且粘附性好的无电镀层的半导体晶片,和提供适用于制造此半导体晶片的无电镀敷方法。用具有能捕获金属的官能团的硅烷偶联剂的溶液涂布半导体晶片,再涂以钯化合物如氯化钯等的有机溶剂溶液。然后使所述晶片进行无电镀敷。作为此无电镀敷方法的结果,可获得厚度为70至5000埃且平均表面粗糙度Ra为10至100埃的半导体晶片。  

 
 
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