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导电无电镀沉积刻蚀停止层、衬垫层及通孔插塞在互连结构中的使用
 
慧聪网   2005年8月26日16时48分   信息来源:中华人民共和国知识产权局    

【名称】:导电无电镀沉积刻蚀停止层、衬垫层及通孔插塞在互连结构中的使用   

【公开(公告)号】:1623228  

【公开(公告)日】:2005.06.01

【申请(专利权)人】:英特尔公司  

【发明(设计)人】:瓦莱丽·迪宾;展常·程;马卡连姆·候赛因;披·源;吕特·布雷恩  

【摘要】:本发明公开了多层互连结构和用于制造所述互连结构的方法。该互连结构可以包含互连线、在互连线上面形成的无电镀沉积金属层、在金属层上面形成的通孔以及在通孔上面形成的第二互连线。通常金属层包含钴或合金,并为形成对应于通孔的开口提供刻蚀停止层。金属层可以向下面的互连线提供保护,并可以取代传统的保护性电介质层。金属层是导电的而非电介质,并为通孔和互连线之间的电流通过提供分路。还可以在互连结构中使用类似金属层作为通孔衬垫层与通孔插塞。  

 
 
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