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晶片键合表面处理剂及晶片键合方法
 
慧聪网   2005年8月25日11时28分   信息来源:中华人民共和国知识产权局    

【名称】:晶片键合表面处理剂及晶片键合方法   

【公开(公告)号】:1632925  

【公开(公告)日】:2005.06.29  

【申请(专利权)人】:北京邮电大学    

【发明(设计)人】:黄辉;任晓敏;王兴妍;王琦;黄永清

【摘要】:本发明揭示了一种晶片键合工艺中的表面处理剂以及晶片键合方法,本发明所提供的表面处理剂是硫化物溶液,其溶质选自硫脲(CS(NH#-[2])#-[2]),硫化氨((NH#-[4])#-[2]S#-[x])或氯化硫(S#-[2]Cl#-[2]),溶剂选自硫化碳、四氯化碳、甲醇、乙醇、氨水,溶液浓度为0.1%~50%;本发明所提供的晶片键合方法,先将待键合的两块晶片在乙醇和丙酮中清洗,除去表面的油渍,将处理过的晶片置于本发明所提供的表面处理剂中水浴中加热后将两块晶片取出用夹具夹紧放入退火炉中进行热处理,实现在较低的热处理温度下,半导体晶片间的高质量键合,并且环保。  

 
 
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