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基片电镀装置和方法以及电解处理方法与装置
 
慧聪网   2005年8月24日16时38分   信息来源:中华人民共和国知识产权局    

【名称】:基片电镀装置和方法以及电解处理方法与装置   

【公开(公告)号】:1624207  

【公开(公告)日】:2005.06.08  

【申请(专利权)人】:株式会社荏原制作所;株式会社东芝    

【发明(设计)人】:国泽淳次;小田垣美津子;牧野夏木;三岛浩二;中村宪二;井上裕章;木村宪雄;松田哲朗;金子尚史;早坂伸夫;奥村胜弥;辻村学;森田敏行 

【摘要】:本发明特别是关于在半导体基片上形成的微细配线图案(凹处)中填充 (Cu)等金属等用途的基片电镀方法及装置,具备使被电镀面向上方、水平地保持并旋转基片的基片保持部(36),与由该基片保持部(36)保持的基片的被电镀面的边缘部接触、将该边缘部不透水地密封的密封构件(90),以及和该基片接触而通电的阴极电极(88),还具有与基片保持部(36)一体地旋转的阴极部(38),具备水平垂直动作自由地配置在该阴极部(38)上方并向下的阳极(98) 的电极臂部(30),在由基片保持部(36)保持的基片的被电镀面与接近该被电镀面的电极臂部(30)的阳极(98)之间的空间中注入电镀液的电镀液注入机构。由此,能够以单一机构进行电镀处理及在电镀处理中附带的处理。  

 
 
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